本文由半导体产业纵横（ID：ICVIEWS）综合
2026年DRAM市场规模将接近1500亿美元，其中HBM DRAM占比约为31%，份额将翻一番。
全球最大的半导体存储器和存储盛会——“存储器和存储的未来”（FMS）于2025年8月5日至8月7日（美国时间）在美国加利福尼亚州圣克拉拉举行。FMS包含主题演讲、综合讲座、展览等内容。
分析师 Jim Handy 以其对半导体存储器和闪存的独特见解而闻名。他的演讲题目是“存储器和存储：现状与未来预测”。他演讲的环节名为“BMKT-101-1：市场分析师小组”，据 FMS 节目报道，共有五位分析师参与。Handy 是仅有的两位公开发布演讲幻灯片的分析师之一。
讲座的提纲（目录）涵盖了“DRAM和HBM”、“NAND Flash和SSD”、“AI”、“CXL”、“Chiplet”、“全球议题”等广泛主题。
Jim Handy将实际和预测的 DRAM 市场（全球市场、价值）分为 DDR 和 HBM 类型。他预计 2024 年 DRAM 市场规模将略高于 1000 亿美元，其中大部分（略高于 85%）是 DDR DRAM。HBM DRAM 占比较小（略低于 15%）。预计 DDR 市场也将比 2023 年大幅增长。然而，预计 2025 年和 2026 年 DDR 市场将几乎没有增长。相反，HBM DRAM 预计将实现显著增长。2026 年 DRAM 市场规模将接近 1500 亿美元，其中 HBM DRAM 占比约为 31%，份额将翻一番。DDR DRAM 的份额将下降至约 69%。
全球 DRAM 市场（DDR 和 HBM）表现及预测。横轴代表年份，纵轴代表金额（单位：十亿美元）。HBM 市场将从 2025 年起大幅增长。
数据中心投资将从 2023 年底开始大幅增长
接下来是各大云服务公司在超大规模数据中心（DRAM 的主要应用领域）的投资额（有形固定资产）的季度趋势。涵盖的时间范围为四年半，从 2021 年第一季度到 2025 年第二季度。纳入的服务公司（或服务名称）包括 Alphabet（谷歌）、Meta、亚马逊（AWS）、Azure（微软）、阿里巴巴和苹果。
这六家公司（六项服务）的固定资产（有形固定资产）支出总额在 2021 年第一季度（1Q21）至 2023 年第三季度（3Q23）期间有所波动，但平均保持不变（约为 400 亿美元）。
这一数字自2023年第四季度（4Q23）以来持续快速增长。2024年第四季度（4Q24）至2025年第一季度（1Q25），总额达到约800亿美元。这意味着，在短短一年半的时间里，从2023年第三季度（3Q23）的约400亿美元翻了一番。最近的2025年第二季度（2Q25），投资额进一步上升，接近1000亿美元。
主要云服务公司在超大规模数据中心的投资额（有形固定资产）的季度趋势。服务公司（或服务名称）从下到上依次为“Alphabet（谷歌）”、“Meta”、“亚马逊（AWS）”、“Azure（微软）”、“阿里巴巴”和“苹果”。纵观每家公司（服务），可以看出“Alphabet（谷歌）”、“Meta”、“亚马逊（AWS）”和“Azure（微软）”的投资额从2023年底到2025年上半年都在增加。
2025年4月后DDR4 DRAM单价将飙升
最后一张幻灯片是关于 DRAM 每内存容量的单价。
由于三大 DRAM 公司在 2025 年底停止生产 DDR4 DRAM，部分中国 DRAM 供应商在 2024 年对 DDR4 DRAM 发起极低价格攻势，DDR DRAM 市场似乎正处于动荡状态。
Handy 在 FMS 演讲中展示的幻灯片展示了 DDR4 DRAM 和 DDR5 DRAM 每内存容量（千兆字节 = 8Gbit）的单价（现货市场最低价格）趋势。
从2024年3月到2025年3月的13个月里，DDR4系列内存单价稳步下降，2024年3月约为1.50美元，但到2025年3月则跌至1.00美元左右，跌幅约为三分之二。在此期间，DDR5系列内存单价基本保持稳定在2美元左右。
然而，从2025年4月开始，DDR4系列的单价开始大幅上涨，到同年6月将突破2美元，与DDR5系列的价格大致持平。更重要的是，DDR5系列的单价从2025年3月开始也呈现上涨趋势。这表明整个DDR系列都出现了供应短缺的情况。
内存容量短缺引发2026年供应链混乱
随着全球制造商争相向上游供货，以确保2026年的DRAM产能，内存行业面临严重的产能紧缩，这引发了人们对供应链中断的担忧。尽管明年主要供应商新增产能有限，但预计需求将超过供应，这将给内存模块制造商带来潜在的短缺压力，并导致采购成本飙升。
业内人士承认，目前 DRAM 缺口已超出预期，促使主要参与者之间展开激烈竞争，争夺 2026 年的供应。然而，目前尚未有任何一家原始设备制造商 (OEM) 明确承诺供应量，这迫使买家“抢购所有库存”，因为人们越来越担心中小企业到 2026 年底可能面临库存空置的情况。
虽然 NAND 闪存也面临供应紧缩的问题——预计第四季度价格将上涨约 25%——但其更广泛的供应商基础提供了更为稳定的供应。相比之下，DRAM 市场仍存在很大的不确定性；价格上涨并不能保证采购成功，DDR4 仍然稀缺。
慧荣科技总裁强调，蓬勃发展的人工智能推理应用推动了大容量存储需求，尤其增加了DRAM需求。他警告称，全球存储产品短缺的局面可能持续到2027年，这可能导致供应链中断，许多小客户可能会转向二手或回收的组件。各大DRAM和NAND生产商的资本支出计划各不相同，反映出在经历了过去的困境后，市场谨慎乐观的态度。
威刚利用早期低成本库存储备，在 2024 年实现收入增长 20%，在全球内存模组供应商中排名第二。
然而，其董事长承认，尽管持有超过 100 亿新台币（约合 3.267 亿美元）的库存，内部采购团队仍面临压力，他敦促销售人员定量供应产品并优先考虑关键客户。
Adata 的目标是将库存价值提高到 200 亿新台币，但面临来自云服务提供商和其他模块制造商的激烈竞争。
宜鼎国际董事长指出，同行已在预期需求激增之前做好了库存准备，近期营收将反映出出货量和平均售价的增长。紧迫的问题仍然是库存耗尽后如何管理，重点是确保2025年第四季度至2026年的出货量。
原始设备制造商产能扩张落后于2026年需求激增
目前领先的内存 OEM 厂商的扩张计划表明，2026 年的产能增长将无法满足市场需求，预计只有 2027 年才会出现显著的新增产量。
三星电子平泽 P3 工厂的目标是到 2026 年底达到每月 115,000 片晶圆的产能，而其 P4 工厂将于 2025 年完工，并于 2026 年下半年开始量产。
SK海力士受益于高带宽存储器（HBM）强劲的销售业绩，其在韩国和中国的产能均已满负荷运营。其M15X晶圆厂将于2025年第四季度完工，专注于HBM3E和HBM4的生产。位于龙仁的一座规模更大的新工厂最近已开工建设，一期工程预计将于2027年第二季度竣工。
美光位于新加坡的先进 HBM 封装工厂投资 70 亿美元开工建设，目标是在 2026 年投入运营，并在 2027 年大幅扩大后端产能。其位于爱达荷州 (ID1) 的晶圆厂是美国首个大批量 DRAM 工厂，预计在 2027 年底才会生产出第一批晶圆。
南亚科技预计 2026 年将维持相对较低的资本支出，2027 年完成新产能，并预计明年出货量仅增长 10%。
总体而言，存储器行业警告称，2026 年 DRAM 产能增长无法跟上不断增长的需求。尽管有利的市场条件可能持续到 2026 年，但在采购方面处于劣势的存储器模块制造商可能面临更高的投入成本，以及客户承受价格上涨意愿的减弱。这种情况将危及强劲的营收数据，同时带来出货量下降和利润率压力，从而导致供应竞争空前激烈。
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